[18p-PG3-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[18p-PG3-8] GaN/AlGaN/GaN分極接合構造トランジスタの耐圧特性

^○松本壮太，平田祥子，孝治吉春，杉浦浩，八木修一，河合弘冶 (パウデック)

キーワード：GaN,トランジスタ