2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 D8 (D215)

14:00 〜 14:15

[20p-D8-5] ラフネス・転位散乱がInSb HEMTの特性に与える影響の解析

長井彰平1，永井佑太郎1，藤川紗千恵1，原紳介2，遠藤聡2，渡邊一世1,2，笠松章史2，藤代博記1，○初芝正太1 (東理大院基礎工1，情報通信研究機構2)

キーワード：InSb　HEMT　,ラフネス散乱,転位散乱