[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-D8-9] 多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制

^○（M2）小林健悟¹，畠山信也¹，吉田智洋¹，矢部裕平¹，DanielPiedra²，TomasPalacios²，尾辻泰一¹，末光哲也¹ (東北大通研¹，MIT MTL²)

キーワード：フィールドプレート,電流コラプス,GaN