2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)

11:45 〜 12:00

▼ [19a-E13-11] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation

○（D）孫政3，永山勉1，渡邊哲也2，本田善央3，天野浩3,4 (Nissin Ion Equipment Co., Ltd.1，Nissin Electric Co., Ltd.2，Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya Univ.3，Akasaki Research Center, Nagoya Univ.4)

キーワード：GaN, doping,ion implantation