2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:30 D8 (D215)

16:30 〜 16:45

△ [19p-D8-10] 2段階ALDにより形成されたAl2O3/InAlN界面の特性(2)

○中野拓真，千葉勝仁，小棚木陽一郎，赤澤正道 (北大量集センター)

キーワード：InAlN,ALD,Al2O3