[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-13] 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価 (II)

^○竹内大智¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

キーワード：電子放出,Si量子ドット