[19p-E13-1~17] 窒化物半導体特異構造の科学　〜成長・作製と新機能の発現〜

[19p-E13-5] InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム

^○寒川義裕^1,2，濱田達郎²，木村健司³，片山竜二³，松岡隆志³，柿本浩一^1,2 (九大応研¹，九大院工²，東北大金研³)

キーワード：InN