[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-19] 機械的な応力印加による単結晶酸化すずの格子欠陥制御

^○櫻井亮¹，PradyotKoley¹，劉可為²，青野正和¹ (物材機構 MANA¹，中国科学院²)

キーワード：酸化物,半導体‐絶縁体転移,格子欠陥