2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.8 結晶評価,不純物,結晶欠陥

[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価,不純物,結晶欠陥

2014年3月19日(水) 13:00 〜 17:45 F9 (F401)

15:00 〜 15:15

[19p-F9-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(6)照射結晶中のVOとCiOiの挙動

井上直久1,5,後藤安則2,関洋文3,渡邉香4,河村裕一5 (東京農工大工1,トヨタ自動車2,東レリサーチ3,システムズ・エンジニアリング4,大阪府立大産学官5)

キーワード:シリコン,粒子線照射,赤外吸収