[20a-D8-1~11] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20a-D8-8] La-silicate界面層を用いたSiC-MOSキャパシタの容量電圧特性の評価

^○宗清修¹，雷一鳴¹，角嶋邦之¹，川那子高暢²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生¹，山川聡³，名取研二¹，岩井洋¹，古橋壮之³，三浦成久³ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，三菱電機³)

キーワード：SiC,La-silicate,界面層