12:15 〜 12:30
[20a-F10-13] Mobility Enhancement in TiO2-Channel TFTs by Decreasing In-Gap States in The Film and Mitigating Grain Boundary Adsorption
キーワード:電界効果移動度,ギャップ内準位
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.5 Si-English Session
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F10 (F406)
12:15 〜 12:30
キーワード:電界効果移動度,ギャップ内準位