[20p-F12-1~6] 13.4 デバイス/集積化技術

[20p-F12-4] nMOSFETsにおけるランダム・テレグラフ・ノイズに寄与する欠陥の時定数および電流振動の面方位依存性の検討

^○陳杰智，平野泉，三谷祐一郎 (東芝研発セ)

キーワード：RTN,MOSFET,ノイズ