[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-3] ミニマルレーザ加熱装置で形成した酸化膜の電気的特性ウェハ面内評価

〇佐藤 和重¹、遠江 栄希¹、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：レーザ加熱、ミニマルファブ

ウェハ外周の低温になりやすい領域を補うようビーム形状の異なる2種類のレーザを重ね合わせて加熱できるレーザ加熱装置で成膜した熱酸化膜について、ウエハ全面にMOS容量とp-MOSトランジスタを作製・評価し、特に大きな問題点等なく良好な特性を得た。これより、レーザ加熱で成膜した熱酸化膜がデバイス作製プロセスへの適用が可能であることを確認した。