[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-14] 半極性面AlGaN/AlN量子井戸の誘導放出にむけた構造設計

〇(D)市川 修平¹、船戸 充¹、岩﨑 洋介²、川上 養一¹ (1.京大院工、2.JFEミネラル株式会社)

キーワード：AlGaN、半極性、誘導放出

AlGaN系半導体は、深紫外発光デバイス用材料として注目を集めている。我々はこれまでに、内部電界を抑制できる半極性面上に量子井戸構造(QW)を作製することで、従来のc面上の試料に比べて強発光を実現してきた。本報告では、未だ報告例のない半極性面AlGaN/AlN QWからの誘導放出の実現にむけ、面内偏光度・臨界膜厚・発光波長の制御など構造設計指針について述べる。