[13p-4C-1~9] Ge-CMOSはどこまで進んでいるのか

[13p-4C-8] Ge-CMOS集積化技術の開発動向

〇手塚 勉^1,2、池田 圭司^1,2、入沢 寿史²、鎌田 善己^1,2、臼田 宏治^1,2、上牟田 雄一^1,2、守山 佳彦^1,2、小池 正浩^1,2、小田 穣^1,2、小野 瑞城^1,2 (1.東芝研究開発センター、2.産総研GNC)

キーワード：ゲルマニウム、CMOS、MOSFET

Geチャネルトランジスタは2018年頃の7nm世代テクノロジー以降への導入が予測されている。CMOSスケーリングにおいてチャネルにSi以外の材料が導入されるのは初めてであり、Siプラットフォーム上への集積化はもっとも重要な課題の一つと言える。本講演では、これまでに提案されている集積化手法のバリエーションと特徴を講演者らのGe-CMOS関連成果も交えてレビューする。