[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V-group epitaxial crystals

[13p-PB2-6] GaAsN System p⁺ -n⁺ Tunnel Diodes

〇Ryuki Taniguchi¹, Akimi Yamane¹, Satoshi Akiyama¹, Makoto Kuramoto¹, Miki Fujita², Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ., 2.NIT, Ichinoseki College)

Keywords:GaAsN,GaNAs,tunnel diode

多接合型太陽電池では、異なる太陽電池を直列に接合するために、トンネルダイオードが必要となる。理論的には、材料のバンドギャップエネルギー(Eg)が減少すると、指数関数的にキャリアのトンネル確率が大きくなる。ここで、N組成が低いGaAsN半導体は、N組成とともにEgが減少することが知られており^[1]、GaAsよりも小さなEgを持つ。このため、Egの小さなGaAsNを用いたトンネルダイオードでは、その抵抗が大幅に減少することが期待できる。