[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-7] ALE法を用いたGaAsN薄膜成長におけるSiドープが電気的特性へ及ぼす影響

〇横山 祐貴¹、堀切 将¹、橋本 英明¹、原口 智宏¹、山内 俊浩¹、鈴木 秀俊¹、前田 幸治¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹ (1.宮崎大工)

キーワード：原子層エピタキシー、III-V族窒化物半導体、シリコンドープ