[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-6] GaAsN系p⁺-n⁺トンネル接合ダイオード

〇谷口 龍希¹、山根 陽美¹、秋山 慧¹、倉本 真¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、GaNAs、トンネルダイオード

多接合型太陽電池では、異なる太陽電池を直列に接合するために、トンネルダイオードが必要となる。理論的には、材料のバンドギャップエネルギー(Eg)が減少すると、指数関数的にキャリアのトンネル確率が大きくなる。ここで、N組成が低いGaAsN半導体は、N組成とともにEgが減少することが知られており^[1]、GaAsよりも小さなEgを持つ。このため、Egの小さなGaAsNを用いたトンネルダイオードでは、その抵抗が大幅に減少することが期待できる。