2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[14a-2J-1~12] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:15 2J (223)

座長:谷口 知大(産総研)

09:00 〜 09:15

[14a-2J-1] Voltage-induced magnetic anisotropy change in Fe|MgO tunnel junctions investigated by x-ray absorption spectroscopy

〇(M2)Kensho Matsuda1, Shinji Miwa1, Kazuhito Tanaka1, Yoshinori Kotani2, Minori Goto1, Tetsuya Nakamura2, Norikazu Mizuochi1, Yoshishige Suzuki1 (1.Osaka Univ., 2.JASRI/SPring-8)

キーワード:voltage-induced anisotropy change,XAS