2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[14a-2W-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年9月14日(月) 09:15 〜 12:15 2W (234-2(北側))

座長:間野 高明(物材機構)

11:45 〜 12:00

[14a-2W-10] MOMBEによるInP基板上への歪InGaAsSb/InGaAsSb MQW構造の成長

〇満原 学1、大礒 義孝1 (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：半導体量子井戸、InGaAsSb、InP基板