[14a-4C-1~10] 13.3 絶縁膜技術

[14a-4C-8] SiC熱酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加

〇(M1)永井 龍¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体、SiC

次世代パワー半導体の材料であるSiCは多様な積層構造を持ち、その中でも4H-SiC Si面、C面を用いたデバイスの研究が最も盛んに行われてきた。しかし、SiC熱酸化機構において未解明の部分が多く、特にC面の酸化速度はSi面と比較して10倍ほど大きい理由も明らかになっていない。そこで、4H-SiC Si面、C面の熱酸化における酸化膜表面・界面のラフネスに着目し、Si面とC面の酸化速度の違いと放出Siの関係性について考察した。