[14p-1C-1~16] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[14p-1C-8] Ar⁺イオン照射によるSi ナノワイヤのNi 合金化プロセスの制御

〇張 旭¹、橋本 修一郎¹、武井 康平¹、ソン セイ¹、徐 泰宇¹、麻田 修平¹、臼田 稔宏¹、富田 基裕^1,2,3、今井 亮佑³、小椋 厚志³、松川 貴⁴、昌原 明植⁴、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員PD、3.明大理工、4.産総研)

キーワード：プロセス、ナノワイヤ、シリサイド