[14p-2W-11~16] 15.7 エピタキシーの基礎

[14p-2W-13] InAs(001)-(4×3)ぬれ層表面での成長過程に関する一考察

〇伊藤 智徳¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹ (1.三重大院工)

キーワード：InAsぬれ層表面、成長過程

GaAs(001)上のInAs成長過程について考察を行う。具体的には，量子論的アプローチから得た知見に基づいて，主要なぬれ層表面である(4×3)表面上のInAs成長過程と最終的な (2×4) 表面形成との関連を検討した結果，ぬれ層においては電子構造による安定化よりもひずみ緩和による安定化が優先することを見いだした。