[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-19] ショットキバリアゲート光照射によるn-AlGaAs/GaAs(001)ヘテロ接合チャネルの面内電流生成

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、榊 裕之^2,1 (1.物材機構、2.豊田工大)

キーワード：ショットキバリアゲート、n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合チャネル

ショットキバリア光検出器は、半導体と金属薄膜により構成されており、検出エネルギーは、半導体のバンドギャップではなく、半導体‐金属ゲート界面に生ずるショットキ障壁により決められる。このため、幅広い波長の光検出が材料の選択によって可能となる。ショットキバリア光検出器では、光電流が素子に対して垂直、すなわち、基板から表面金属あるいはその逆方向に流れる。しかし、この垂直方向の電流は、低移動度キャリアを持つドープ基板を通る必要があり、ノイズの要因となる。また、垂直電流は集積回路との相性も悪い。本研究では、ショットキゲートを光照射することにより、面内方向の電流が、n-AlGaAs/GaAsヘテロ接合の高移動度２次元電子チャネルに生じることを見出した。