[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-20] AlGaN/GaN HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散の温度依存性

〇成田 知隆¹、片山 雄貴¹、為末 圭一¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ、周波数分散