[14p-PB2-1~21] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-PB2-4] InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性

〇遠藤 聡^1,2、渡邊 一世¹、笠松 章史¹、高橋 剛²、芝 祥一²、中舍 安宏²、岩井 大介²、三村 高志^1,2 (1.情報通信研究機構、2.富士通研究所)

キーワード：HEMT、低温DC・RF特性