[14p-PB2-1~21] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14p-PB2-5] Direct growth of graphene on a GaN surface by thermal CVD

〇Takayoshi Enomoto¹, Matusima Yusuke¹, Ueno Kazuyoshi^1,2 (1.Shibaura Inst. Tech., 2.SIT Res Center for Green Innovation)

Keywords:semiconductor

グラフェンは長い平均自由行程や高い電流密度耐性から、低抵抗で高信頼な電極・配線材料として注目されている。グラフェンの電子デバイス電極への応用では、LEDや次世代パワー半導体材料として注目されている窒化ガリウム(GaN)-LEDの透明電極やパワーデバイス用電極として検討されている。このようなデバイスには剥離グラフェンの転写が主に用いられているが、安定な特性を得るためには直接GaN表面に形成することが望ましい。本研究では、安定な電極形成法を目的とした熱CVD法によるGaN表面へのグラフェン直接形成を検討した。