[14p-PB6-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14p-PB6-6] SiC基板のレーザーアブレーション形状の観察

〇岡本 淳祐¹、宮川 鈴衣奈¹、岡部 悠¹、江龍 修¹ (1.名工大院)

キーワード：フェムト秒レーザー

フェムト秒レーザーは熱的影響を極力抑えられるため、微細加工や非熱的加工に用いられている。しかし、フェムト秒レーザーを用いたアブレーション発生の物理的機構は明らかになっていないところが多い。本発表では、レーザーフルエンスと基板の面内結晶方位との相関について、アブレーション発生閾値以上の光強度で照射したSiC基板のアブレーション形状を調べたので報告する。