2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月15日(火) 09:30 〜 12:00 2H (222)

座長:中村 芳明(阪大)

10:00 〜 10:15

[15a-2H-3] Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価

〇加藤 祐介1、荒井 崇1、大田 晃生1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)

キーワード：抵抗変化メモリ、Tiナノドット、Si酸化物