2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-2H-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年9月15日(火) 09:30 〜 12:00 2H (222)

座長:中村 芳明(阪大)

11:30 〜 11:45

[15a-2H-9] Cuナノギャップを用いた平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

〇米坂 瞭太1、村上 暢介1、福地 厚1、有田 正志1、高橋 庸夫1 (1.北大院情報)

キーワード：抵抗変化メモリ、TEMその場観察