[15a-2Q-1~12] 8.4 プラズマエッチング

[15a-2Q-11] 酸素中性粒子ビームによる酸化及び錯体反応を用いた遷移金属エッチングメカニズム(3)

〇久保田 智広¹、菊地 良幸²、野沢 俊久²、伊藤 寿³、久保 百司³、寒川 誠二^1,4 (1.東北大流体研、2.東京エレクトロン、3.東北大金研、4.東北大WPI-AIMR)

キーワード：遷移金属、磁気抵抗メモリ、エッチング加工

遷移金属（特に磁性材料）の異方性エッチングプロセスは、磁気抵抗メモリ（MRAM）の実用化のために極めて重要である。最近、谷・寒川らにより報告された、中性粒子ビームによる酸化錯体反応によって遷移金属の異方性ダメージフリーエッチングについて、エッチングメカニズムの理解を目指し、Taエッチングを例に、第一原理理論計算を用いた理論的アプローチを試みた。