[15p-2W-1~23] 2.2 検出器開発

△ [15p-2W-9] 厚膜化Gated Silicon Drift Detectorのシミュレーション

〇(M2)石川 翔平¹、福島 慎也¹、櫻井 俊伍¹、小田 祐也¹、竹下 明伸¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹ (1.大阪電通大)

キーワード：X線検出素子、シリコン、Gated Silicon Drift Detector

抵抗率10 kΩ·cm 、膜厚2.5 mmの Gated Silicon Drift Detector の電位分布をシミュレーションし、GSDD の構造を最適化した。シミュレーションした電位分布の結果から、X線照射により発生した電子がアノードに到達できることがわかった。