[15p-4E-1~23] 7.2 電子ビーム応用

[15p-4E-21] ダブルゲートスピント型エミッタの電極構造とエミッタ先端電界

〇後藤 康仁¹、辻 博司¹、長尾 昌善² (1.京大院工、2.産総研)

キーワード：電界放出電子源、計算機実験

ダブルゲート構造のスピント型エミッタのゲート長さや集束電極径を変化させたときに、エミッタ先端の電界強度が集束電位とともにどのように変化するかを計算機実験により求めた。エミッタと同じ高さのゲートをもつエミッタでは、集束電位印加に伴いエミッタ先端電界の低下が見られたが、ゲートを長くすることで集束電位の影響を低減でき、集束電極径の変化にもあまり影響されないことが明らかとなった。