[16a-1D-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16a-1D-9] Optical property of InGaN/GaN single quantum disk nano-pillars fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE)

〇(M1)Tomoya Mizutani¹, Ryo Hachiya¹, Kohei Ogawa¹, Shun Ishijima¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Univ. Nano-Tech Research Ctr.)

Keywords:GaN,etching,nano structure

我々は、低圧水素雰囲気中での窒化物半導体の熱分解反応を利用した新しいナノ加工技術である水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法について報告してきた。本研究では、HEATE法で作製したInGaN単一量子ディスクを内在するナノピラーアレイを作製した。PL温度特性測定及び時間分解PL測定により、HEATE法がInGaN/GaN量子井戸構造を内在するナノ構造作製に適した低損傷なエッチング法であることを検証した。