2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[16a-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

2015年9月16日(水) 10:00 〜 12:15 2E (221-1)

座長:尾崎 信彦(和歌山大)

11:30 〜 11:45

[16a-2E-7] 量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振

〇(M1)太田 寛人1、前川 知久1、盧 翔孟1、熊谷 直人1、北田 貴弘1、井須 俊郎1 (1.徳島大院フロンティア)

キーワード:半導体レーザ、結合共振器

結合共振器構造による面型テラヘルツ波発生素子として、InAs量子ドットを利得媒質とした面発光型レーザ構造の二波長の発光特性の研究を進めてきた。本研究では、利得媒質としてInGaAs/GaAs多重量子井戸構造を用いた電流注入型面発光レーザ構造を作製し、二波長での等強度なレーザ発振を実現した。また、共振器層の膜厚分布による発振特性を評価した。