[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-2] 常温接合法によるGaAs/4H-SiCヘテロ接合作製及び電気特性評価

〇(M1)清水 彩絵¹、梁 剣波¹、新井 学²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.新日本無線(株))

キーワード：SiC、GaAs、表面活性化接合

我々は次世代のパワーデバイス材料として有望なSi/SiCヘテロ接合のバンド構造を議論してきた。今回は新たに高電力、高周波動作デバイスの実現が期待できるGaAs/4H-SiCヘテロ接合を常温接合法である表面活性化接合法(SAB)にて作製し、電気特性評価を行った。