[16p-4C-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-4C-4] NO₂分子によるホールドーピングを用いた水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

〇(M1)古賀 優太¹、原田 和也¹、花田 賢志¹、大石 敏之¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：ダイヤモンド、電界効果トランジスタ

ダイヤモンドは約5.47 eVの広いバンドギャップをもつ半導体であり、
高い破壊電界、最高の熱伝導率を有することから次世代のパワーデバイス材料として期待されている。
今回我々は水素終端処理したダイヤモンド表面をNO₂ガスに曝露させた後にゲートを蒸着し、電界効果トランジスタを作製した。
この素子ではゲート電圧0 V時、ドレイン電流は流れず、ノーマリーオフ動作であった。
ゲート電圧-3 V、ドレイン電圧-10 V印加した際のドレイン電流は-12.4 mA/mmであった。
また、容量電圧特性より、キャリアプロファイリングを行ったところ、ゲートの下2.4 nmの位置に
キャリアの集中が確認できた。