[11p-A21-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-A21-2] (-201), (010) Ga₂O₃ 上における結晶化Al₂O₃ 層の面方位依存性

〇上村 崇史¹、ダイワシガマニ キルシナムルティ¹、倉又 朗人²、山腰 茂伸²、東脇 正高¹ (1.情通研機構, 2.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、界面準位密度、原子層堆積