[11p-B5-1~9] 最先端CMOS技術とその将来展望

[11p-B5-5] FinFETにおける特性ばらつきと低周波ノイズの抑制技術

〇松川 貴¹、福田 浩一¹、柳 永勛¹、塚田 順一¹、山内 洋美¹、遠藤 和彦¹、大内 真一¹、右田 真司¹、水林 亘¹、森田 行則¹、太田 裕之¹、昌原 明植¹ (1.産総研)

キーワード：FinFET、特性ばらつき、低周波ノイズ