Analysis of Oxygen vacancies in the Interface of amorphous InGaZnO / Siloxane passivation film by X-ray photoelectron spectroscopy

Chaiyanan Kulchaisit

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[11p-D1-1~17] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月11日(水) 13:15 〜 17:45 D1 (16-101)

17:15 〜 17:30

▼ [11p-D1-16] Analysis of Oxygen vacancies in the Interface of amorphous InGaZnO / Siloxane passivation film by X-ray photoelectron spectroscopy

〇(M2)Chaiyanan Kulchaisit¹, Haruka Yamazaki¹, Juan Paolo Bermundo¹, Mami Fujii¹, Masahiro Horita¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.Nara Inst. of Sci. and Tech.)

キーワード：Siloxane passivation,InGaZnO,Thin-film transistor

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