[12a-P12-1~7] 13.3 絶縁膜技術

[12a-P12-4] 酸化剤を変えたALD-Al₂O₃膜のMOSキャパシタの特性評価

〇福井 僚¹、中村 嘉基¹、角嶋 邦之²、片岡 好則²、西山 彰²、杉井 信之²、若林 整²、筒井 一生²、名取 研二¹、岩井 洋¹ (1.東工大フロンティア研, 2.東工大総理工)

キーワード：高誘電体、原子層堆積法、酸化アルミニウム