[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [12p-A18-10] 水素ドナー及び格子間Si対形成に対する熱処理温度の影響

〇清井 明¹、田中 政幸¹、川上 剛史¹、鶴田 明三¹、谷村 純二¹、湊 忠玄²、多留谷 政良² (1.三菱電機先端総研, 2.三菱電機パワ電)

キーワード：シリコン、点欠陥