Low-Temperature Growth of InN Films on Si(111) Substrates by Radical-Enhanced Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年3月12日(木) 16:00 〜 18:00 P16 (総合体育館)

16:00 〜 18:00

〇(PC)Yi Lu¹, Osamu Oda¹, Kazuki Iwamoto¹, Hiroki Kondo¹, Kenji Ishikawa¹, Makoto Sekine¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya University)

キーワード：InN,low-temperature growth,REMOCVD