[13p-P17-1~24] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13p-P17-21] GaN基板上AlGaN/GaN HEMT構造の表面モフォロジが耐圧に与える影響

〇田邉 真一¹、渡邉 則之¹、内田 昌宏²、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研, 2.NTT-AT)

キーワード：GaN