14:45 〜 15:00 △ [15p-B9-7] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性 〇(B)横山 千晶1、張 志宇1,2,3、竹中 充1,2,3、高木 信一1,2,3 (1.東京大工、2.東京大院工、3.JST-CREST)