09:00 〜 09:15
▼ [16a-B1-1] AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN Substrates with Critical Electric Field of 1.2 MV/cm
〇(M2)JIEHONG NG1、Joel Asubar1、Hirokuni Tokuda1、Masaaki Kuzuhara1 (1.University of Fukui)
2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)
09:00 〜 09:15
〇(M2)JIEHONG NG1、Joel Asubar1、Hirokuni Tokuda1、Masaaki Kuzuhara1 (1.University of Fukui)