一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
10:00 〜 10:15
〇宮崎 賢都1、奥山 将吾1、羽深 等1、後藤 昭広2 (1.横国大院工、2.プレテック)
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10:15 〜 10:30
〇奥山 将吾1、宮崎 賢都1、小野 伸賢1、羽深 等1、後藤 昭広2 (1.横国大院工、2.プレテック)
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10:30 〜 10:45
〇山本 義治1 (1.ヤマトテクノス)
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10:45 〜 11:00
〇大井上 昂志1、齋藤 卓2、奥山 敦2、萩本 賢哉2、岩元 勇人2 (1.ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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11:15 〜 11:30
〇藤島 優介1、鈴木 仁1、坂上 弘之1 (1.広大先端研)
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11:30 〜 11:45
〇林 拓弥1、山口 康隆1、川上 雅之2、矢野 大作2、山中 弘次2 (1.阪大工、2.オルガノ)
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11:45 〜 12:00
〇(D)工藤 聡也1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
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12:00 〜 12:15
〇周 一帆1、羽深 等1、チェ ジェハ1 (1.横国大院工)
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