[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-11] ファセット制御ハイドライド気相成長法により作製したGaNにおける転位密度の可視化

〇松原 徹¹、河原 慎¹、行實 孝太¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学)

キーワード：転位密度分布、カソードルミネッセンス、選択成長

我々はハイドライド気相成長法を用いて、ファセット制御した選択成長を行い、その埋め込み成長を実施することにより全面に渡り低転位のGaN基板を作製した。本手法では、c面成長領域とファセット成長領域が存在することは判明済みであったが、各領域における転位の密度や、その低減具合といった詳細は不明であった。本研究では斜め研磨した試料をカソードルミネッセンス（CL）測定し、暗点密度から三次元的な転位密度分布を評価した。