2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月13日(火) 13:30 〜 16:45 A23 (201B)

安井 伸太郎(東工大)、清水 荘雄(東工大)

15:15 〜 15:30

[13p-A23-6] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノキャパシタの第一原理解析-dead layer効果と負のキャパシタンス

笠松 秀輔1、渡邉 聡2、Han Seungwu3、Hwang Cheol Seong3 (1.東大物性研、2.東大院工、3.ソウル大)

キーワード:強誘電体、第一原理計算、キャパシタンス

金属/絶縁体界面近傍で誘電率が低下してしまうdead layer効果は、半導体デバイスのさらなるスケーリングへの障壁となっている。一方、最近は多数の実験で強誘電体が負のキャパシタンスを示すことが報告されており、薄膜化を進めなくともキャパシタンスの向上を実現するものとして期待されている。本講演では、負のキャパシタンスの発現における分極ドメインダイナミクスの役割と格子欠陥の影響について第一原理計算によって論じる。