[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-19] The characterization of the MOSFETs on m-plane GaN substrate

〇Katsunori Ueno¹, Shinya Takashima¹, Takuro Inamoto¹, Hideaki Matsuyama¹, Masaharu Edo¹, Tokio Takahashi³, Mitsuaki Shimizu³, Kiyokazu Nakagawa² (1.Fuji Electric, 2.Univ. of Yamanashi, 3.AIST)

Keywords:GaN, MOSFET, m-plane

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討され始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術であることから、これまで応用物理学会にて自立基板GaN上に作製したSiO₂-MOSの界面特性や、MOSFETの初期特性について報告した。これまでの試作はc面上に形成したものであるが、今回は結晶方位の異なるm面上に形成し、その特性評価を行ったので報告する。